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作者:小编    发布时间:2024-03-24 03:47:45    浏览量:

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  产品知识介绍厦门欣龙捷电子有限公司2011年01月17日LOGO什么是功率电路为负载尽可能提供最大电压和电流的乘积的电路称为功率电路什么是功率器件在电子线路中作为功率放大的部件电流或电压是原先的beta倍的大信号承担大电流大电压的放大作用的元件或组件什么是功率晶体管模块由多个功率晶体管及其附属电路构成的集成器件几个重要概念介绍LOGO一MOS管介绍1什么是MOS管2MOS管的结构3MOS管的分类4MOS的用途5MOS的参数二IGBT和模块1IGBT与模块是什么2MOS的用途3IGBT与MOSFET的对比三高速光耦1高速光耦是什么2高速光耦的用途3参数四大功率肖特基1肖特基是什么2肖特基的用途3结构五达林顿管1什么是达林顿管2达林顿管的组成3典型应用4特点六可控硅1什么是可控硅2可控硅的结构3典型应用4特点产品知识介绍LOGO1什么叫MOS管MOS管英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物是场效应晶体管2MOS管的结构一MOS管介绍a增强型NMOS管b增强型PMOS管sSource源极dDrain漏极gGate栅极BBase衬底在P型衬底扩散上2个N区P型表面加SiO2绝缘层在N区加铝线引出电极在N型衬底上扩散上2个P区P型表面加SiO2绝缘层在二个P区加铝线引出电极PMOS与NMOS管的工作原理完全相同只是电流和电压方向不同产品知识介绍LOGO3MOS管的分类场效应管的种类很多按结构可分为两大类结型场效应管JFET和绝缘栅型场效

  应管IGFET结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种MOS管又分为ldquo耗尽型rdquo和ldquo增强型rdquo两种而每一种又分为N沟道和P沟道MOS可分为HMOS高密度MOS和CMOS互补MOS两种合起来又有了CHMOS用得最多的就是N沟道4MOS的用途aMOS的功能和三极管差不多主要是放大电路b电子开关电路中c开关电源和马达驱动d照明调光一MOS管介绍产品知识介绍LOGO5MOS的参数1开启电压VTmiddot开启电压又称阈值电压使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压middot标准的N沟道MOS管VT约为3~6Vmiddot通过工艺上的改进可以使MOS管的VT值降到2~3V2直流输入电阻RGSmiddot即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比middot这一特性有时以流过栅极的栅流表示3漏源击穿电压BVDSmiddot在VGS0增强型的条件下在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDSmiddotID剧增的原因有下列两个方面1漏极附近耗尽层的雪崩击穿2漏源极间的穿通击穿middot有些MOS管中其沟道长度较短不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区使沟道长度为零即产生漏源间的穿通穿通后源区中的多数载流子将直接受耗尽层电场的吸引到达漏区产生大的ID4栅源击穿电压BVGSmiddot在增加栅源电压过程中使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS称为栅源击穿电压BVGS5低频跨导gmmiddot在VDS为某一固定数值的条件下漏极电流

  的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导middotgm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力middot是表征MOS管放大能力的一个重要参数middot一般在十分之几至几mAV的范围内6导通电阻RON又称RDSONmiddot导通电阻RON说明了VDS对ID的影响是漏极特性某一点切线的斜率的倒数middot在饱和区ID几乎不随VDS改变RON的数值很大一般在几十千欧到几百千欧之间middot由于在数字电路中MOS管导通时经常工作在VDS0的状态下所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似middot对一般的MOS管而言RON的数值在几百欧以内7极间电容middot三个电极之间都存在着极间电容栅源电容CGS栅漏电容CGD和漏源电容CDSmiddotCGS和CGD约为1~3pFmiddotCDS约在01~1pF之间PinDescription一MOS管介绍产品知识介绍LOGO二IGBT和模块介绍产品知识介绍IGBTInsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点aIGBT单管IGBT封装较模块小电流通常在100A以下常见TO247等封装如SGbIGBT模块模块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起1IGBT与模块是什么电动汽车伺服控制器UPS开关电源斩波电源无轨电车等2IGBT与模块的用途3

  IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管它的三个极分别是源极S漏极D和栅极G优点热稳定性好安全工作区大缺点击穿电压低工作电流小IGBT全称绝缘栅双极晶体管是MOSFET和GTR功率晶管相结合的产物它的三个极分别是集电极C发射极E和栅极G特点击穿电压可达1200V集电极最大饱和电流已超过1500A由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上工作频率可达20kHz注还有一种功率晶体管模块由多个相互关联的功率晶体管二极管及驱动电路等一起工作如上图ab图a图b图实物LOGO三高速光耦介绍产品知识介绍1高速光耦是什么光耦合器opticalcoupler英文缩写为OC亦称光电隔离器或光电耦合器简称光耦它是以光为媒介来传输电信号的器件通常把发光器红外线发光二极管LED与受光器光敏半导体管封装在同一管壳内当输入端加电信号时发光器发出光线受光器接受光线之后就产生光电流从输出端流出从而实现了ldquo电mdash光mdash电rdquo转换而高速光耦也是光耦的一种它是非线性光耦绝缘电压响应速度电流传输效率高和开关时间只有几微秒等2高速光耦用途高速光耦主要应用于通信信息传输要求高等的领域如数字逻辑输入电路微处理器输入网络线路接收器电话线高速光耦参数光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF正向电流IF电流传输比CTR输入级与输出级之间的绝缘电阻集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO集电极-发射极饱和压降VCEsata反射式光藕b直插贴片光藕c高速

  光藕d光藕内部结构LOGO四大功率肖特基绍产品知识介绍1大功率肖特基是什么肖特基二极管是以其发明人肖特基博士Schottky命名的SBD是肖特基势垒二极管SchottkyBarrierDiode缩写成SBD的简称SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的因此SBD也称为金属-半导体接触二极管或表面势垒二极管它是一种热载流子二极管2大功率肖特基用途SBD的结构及特点使其适合于在低压大电流输出场合用作高频整流在非常高的频率下如X波段C波段S波段和Ku波段用于检波和混频在高速逻辑电路中用作箝位3大功率肖特基结构a大功率肖特基b普通肖特基LOGO五达林顿管介绍产品知识介绍1什么是达林顿管达林顿管是达林顿三极管的简称即复合管是两颗三极管按照电流流向复合的接在串接一起组合的两只管子组合后的电流放大倍数等于两只管子的电流放大倍数的乘积达林顿管不仅能做开关使用也能做放大用在功率放大器和做稳压电源时常常用到达林顿2达林顿管的组成ldquo达林顿rdquo是指两个三极管在一起的组合方式这种组合方式有4种NPN管和NPN管PNP管和PNP管NPN管和PNP管PNP管和NPN管4特点优点放大倍数高驱动电流甚小等缺点输出压降较大容易受干扰等3典型应用1用于大功率开关电路电机调速逆变电路2驱动高灵敏度小型继电器3驱动LED智能显示屏图2常见封装图1常见双管组合LOGO六可控硅介绍产品知识介绍1什么是可控硅晶闸管又叫可控硅Sili

  conControlledRectifierSCR可控硅是可控硅整流元件的简称是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件亦称为晶闸管具有体积小结构相对简单功能强等特点是比较常用的半导体器件之一广泛应用于各种电子设备和电子产品中多用来作可控整流逆变变频调压无触点开关等家用电器中的调光灯调速风扇空调机电视机电冰箱洗衣机照相机组合音响声光电路定时控制器玩具装置无线电遥控摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件2可控硅的结构图2可控硅等效图解图图1可控硅结构示意图和符号图LOGO六可控硅介绍产品知识介绍4特点ldquo一触即发rdquo但是如果阳极或控制极外加的是反向电压晶闸管就不能导通控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通却不能使它关断那么用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢使导通的晶闸管关断可以断开阳极电源图3中的开关S或使阳极电流小于维持导通的最小值称为维持电流如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压那么在电压过零时晶闸管会自行关断3典型应用1可控整流普通晶闸管最基本的用途就是可控整流大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路如果把二极管换成晶闸管就可以构成可控整流电路逆变电机调速电机励磁无触点开关及自动控制等方面2无触点开关可控硅的功用不仅是整流它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路实现将直流电变成交流电的逆变将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等A阳极G控制极K阴极图2可控硅图2可控硅开关图3双向可控硅LOGOThankyou

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