金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“在半导体器件中形成微图案的方法“，授权公告号CN110911272B，申请日期为2018年9月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种在半导体器件中形成微图案的方法，步骤如下皇冠体育app免费版,：提供一基底，在基底上形成一层硬掩膜层，在硬掩膜层上形成第一牺牲层皇冠体育官方平台,，在第一牺牲层上形成第二牺牲层，在第二牺牲层上形成第三牺牲层；首先形成第一点状图案；然后形成第二点状图案；再形成第三点状图案；最后对第一牺牲层进行刻蚀形成微图案。本发明提高了电容图案制作过程中的套刻精度，避免了接触电阻和寄生电容问题的产生，大大提高了产品成品率，同时本发明方法操作过程简单，成本低和周期短。